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國(guó)際研究暨顧問(wèn)機(jī)構(gòu)Gartner表示,2010年全球半導(dǎo)體資本設(shè)備支出可望逾354億美元,較2009年的166億美元,勁揚(yáng)113.2%.然而,Gartner也提醒,設(shè)備制造商應(yīng)該對(duì)2011年成長(zhǎng)趨緩預(yù)做心理準(zhǔn)備。預(yù)期2011年全球半導(dǎo)體資本設(shè)備支出微幅增加6.6%.
Gartner副總裁KlausRinnen表示:技術(shù)升級(jí),將帶動(dòng)2010年半導(dǎo)體資本設(shè)備市場(chǎng)的成長(zhǎng)。對(duì)40奈米和45奈米設(shè)備的需求大幅增加,帶動(dòng)晶圓代工的龐大資本支出。英特爾對(duì)3x奈米的投資,NAND記憶體制造商支出增加,以及升級(jí)至下一世代DDR3DRAM記憶體,皆為主要的投資成長(zhǎng)動(dòng)能。
Rinnen表示:我們將可見(jiàn)到半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)在2010年底逐漸趨緩,此一產(chǎn)業(yè)反映出總體經(jīng)濟(jì)情勢(shì)。我們預(yù)期,由於半導(dǎo)體市場(chǎng)的成長(zhǎng)趨緩,資本設(shè)備的成長(zhǎng)雖可延續(xù)至2011年,但成長(zhǎng)幅度逐漸縮小。Gartner認(rèn)為,在2009年的顯著衰退後,半導(dǎo)體資本設(shè)備市場(chǎng)各部門(mén)在2010年皆將呈現(xiàn)強(qiáng)勁成長(zhǎng)
2010年晶圓制造設(shè)備(WFE)部門(mén)將成長(zhǎng)113.3%,2011年的增幅則為7.2%.Gartner表示,由於對(duì)半導(dǎo)體的需求強(qiáng)勁,加以2008和2009年的投資不足,導(dǎo)致半導(dǎo)體業(yè)對(duì)設(shè)備上的需求強(qiáng)勁,整體產(chǎn)能利用率將在2010年第三季達(dá)到高峰。其後,隨著產(chǎn)能提高,設(shè)備市場(chǎng)將緩慢減少,從上一季的高需求量回到正常的水準(zhǔn)。
在2009年衰退32%之後,Gartner預(yù)測(cè)2010年封裝與組裝設(shè)備部門(mén)(PAE)將勁揚(yáng)104.7%,2011年則微增0.7%.在預(yù)測(cè)期間內(nèi),部份設(shè)備部門(mén)將有大幅的成長(zhǎng)。在先進(jìn)制程上的需求,例如晶圓級(jí)封裝、3D制程和直通矽晶穿孔(TSV)的制造,預(yù)期成長(zhǎng)速度將較整體市場(chǎng)更為快速;此外,先進(jìn)封裝設(shè)備的檢驗(yàn)和制程控管工具的成長(zhǎng)亦將高於整體市場(chǎng)成長(zhǎng)率。
Gartner預(yù)測(cè),全球的自動(dòng)測(cè)試設(shè)備(ATE)市場(chǎng)將在2010年度成長(zhǎng)133%.2009年第一季ATE市場(chǎng)觸及谷底,自此之後季營(yíng)收逐漸回升,今年首季更是後勢(shì)看漲,此一成長(zhǎng)態(tài)勢(shì)可望延續(xù)至第三季,使整體測(cè)試市場(chǎng)帶來(lái)自2006年以來(lái)的首度的正成長(zhǎng)。盡管ATE市場(chǎng)看好,去年表現(xiàn)卻不盡理想,使記憶體測(cè)試部門(mén)營(yíng)收跌破2億美元關(guān)卡。
Rinnen指出:由於我們才剛走出代價(jià)高昂和嚴(yán)重的衰退,預(yù)估2010年半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)將會(huì)出現(xiàn)格外強(qiáng)勁的成長(zhǎng)。他進(jìn)一步分析:如此的盛況極有可能在2011年結(jié)束,但不會(huì)像前幾波景氣循環(huán)出現(xiàn)劇烈震蕩。然而,倘若產(chǎn)能再繼續(xù)且無(wú)限制的擴(kuò)張下去,可能將在2013年提早進(jìn)入比之前更為嚴(yán)重的衰退。記憶體制造商如何快速因應(yīng)市場(chǎng)疲軟和平均銷(xiāo)售價(jià)格(ASPs)下降,將會(huì)決定ATE市場(chǎng)是否避免再次陷入近幾年的衰退。
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